[发明专利]150V-BCD体硅制造工艺和LCD背光驱动芯片

摘要

本发明公布了一种150V-BCD体硅制造工艺和LCD背光驱动芯片，所述工艺如下：先准备高阻衬底硅片，在衬底增加N型埋层，用NSINKER1漏极结构连接N型埋层，外延N型外延层，和NSINKER2形成对通结构，形成LDPMOS器件体区，Resurf耐压区，沟道连接区，构成横向结构LPMOS高压器件；形成Resurf耐压区，补偿注入JFET区，VDNMOS器件体区，复合MOS栅沟道；用深槽隔离结构，替代传统的PISO隔离结构，用双薄栅DGO作为低压器件的栅氧，用N+/P+作为所有器件的漏极注入，用自对准硅化物技术Salicide减少互连电阻，形成接触孔，用MET形成器件连接，用PAD作为压焊点。所述驱动芯片包括：多级电荷泵升压电路、EL振荡电路、VSENSE模块、高压变换模块和全桥式驱动结构。

主权项

一种150V‑BCD体硅制造工艺，其特征在于包括如下步骤：1)准备P型衬底硅片；2)制备N型埋层；3)形成NSINKER1漏极对通结构；4)生长N型外延层；5)形成NSINKER2漏极对通结构；6)形成VHVNW阱结构，作为LDPMOS器件的体区；7)形成PDRIFT漂移区；8)形成PEDGE漂移区；9)形成PLINK连接区；10)形成ACTIVE有源区；11)形成TRENCH深槽结构；12)形成VHVTN注入；13)形成PBODY体区，作为VDNMOS器件的体区；14)形成HVPWELL阱；15)形成HVNWELL阱；16)形成LVPWELL阱；17)形成LVNWELL阱；18)生长DGO两个薄氧栅，包括高压薄栅氧GOX1，低压薄栅氧GOX2；19)注入N+漏极；20)注入P+漏极；21)Salicide自对准硅化物互连；22)形成接触孔；23)形成金属连线；24)PAD压焊点。