[发明专利]硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺有效
| 申请号： | 201010231621.2 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101892514A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 袁晖;熊巍;陈良;周尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种坩埚下降法生长大尺寸、高质量硝酸钠单晶的方法，属于晶体生长技术领域。本发明采用分析纯硝酸钠为原料，采用单层圆锥底铂金坩埚或圆弧底石英玻璃坩埚装料，采用硅碳棒或硅钼棒为发热体的下降炉进行晶体生长，生长炉温350～380℃，生长速率0.2～1.0mm/h，生长界面温度梯度5～15℃/cm。本发明所述的坩埚下降法生长工艺简单，可按制定的条件进行晶体生长，其温场稳定，径向温梯小，可有效减少晶体开裂，而且一炉可同时生长多根不同规格的硝酸钠单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 硝酸钠 坩埚 下降 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺，包括以下步骤：1)将原料硝酸钠于100～250℃焙烧2～5小时后，装入坩埚中；2)将装料后的坩埚置于下降炉中，控制炉温为360～380℃，当坩埚底部温度达到硝酸钠熔点时，开始晶体生长，下降速率为0.2～1.0mm/h，固液界面的温度梯度为5～15℃/cm；晶体生长完毕后，使炉体自然冷却至室温，取出坩埚，将晶体从坩埚中剥离，即得到无色硝酸钠单晶。
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