[发明专利]GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010202934.5 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101922045A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 中幡英章;藤原伸介;樱田隆;山本喜之;中畑成二;上村智喜 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。 | ||
| 搜索关键词： | gan 结晶体 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种GaN单结晶体，所述GaN单结晶体具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。
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