[发明专利]一种纳米硅薄膜电致发光显示单元无效
| 申请号： | 201010202334.9 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101872777A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;郭立强;程广贵;袁宁一 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种纳米硅薄膜电致发光显示单元，涉及纳米硅薄膜应用技术和电致发光显示技术领域。从上至下由背电极层、N型层纳米硅薄膜、本征层纳米硅薄膜、P型层纳米硅薄膜和透明电极层组成，其中背电极层为Al电极，接正极，透明电极层为ITO薄膜，接负极。本发明的优点是避免有机薄膜，利用纳米硅电致发光特性，在柔性衬底上制备厚度较小的高效稳定的纳米硅薄膜发光单元。工艺简单、易产业化生产、所用材料成本低，对环境无污染、无辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 电致发光 显示 单元 | ||
【主权项】：
一种纳米硅薄膜电致发光显示单元，从上至下由背电极层、N型层纳米硅薄膜、本征层纳米硅薄膜、P型层纳米硅薄膜和透明电极层组成，其中背电极层为Al电极，接正极，透明电极层为ITO薄膜，接负极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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