[发明专利]含蒽和吡咯并吡咯二酮单元的聚合物材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种含蒽和吡咯并吡咯二酮单元的聚合物材料及其制备方法和应用，该聚合物材料具有以下结构式(Ⅲ)，通过将蒽与吡咯并吡咯二酮或其衍生物共聚，在吡咯并吡咯二酮的2、5位上引入增加可溶性的基团来提高聚合物材料的可溶性和成膜性，并且通过改变吡咯并吡咯3、6位的取代基来调控吡咯并吡咯二酮的吸光范围，得到的含蒽和吡咯并吡咯二酮单元的聚合物材料具有良好的溶解性、较宽的光谱吸收范围和较高的能量转换效率，可作为有机半导体材料应用在有机太阳电池、有机电致发光、有机场效应晶体管、有机光存储、有机非线性材料和有机激光等领域中。

主权项

1.一种含蒽和吡咯并吡咯二酮单元的聚合物材料，其特征在于，具有以下结构式(Ⅲ)：其中，n为1～200的自然数；R₁、R₂为氢、卤素、氰基、C₁～C₄₀的烷基、芳基或杂芳基；R₃为氢或C₁～C₄₀的烷基；R₄为氢、C₁～C₄₀的烷基、C₁～C₄₀的烷氧基、C₆～C₄₀的芳基、C₆～C₄₀的芳烷基或C₆～C₄₀的芳基烷氧基。