[发明专利]一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构无效
| 申请号： | 201010200412.1 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101866961A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构，所述的陷光结构包括：晶硅衬底(2)、在所述晶硅衬底(2)上的掺杂薄膜硅层(3)、在所述掺杂薄膜硅层(3)上的透明导电电极(4)，以及在所述掺杂薄膜硅层(3)和所述透明导电电极(4)之间的金属纳米结构(1)或者在所述透明导电电极(4)之上的金属纳米结构(1)或者在所述透明导电电极(4)内部的金属纳米结构(1)。所述晶硅衬底(2)与所述掺杂薄膜硅层(3)相接的表面是没有经过特意织绒的。本发明利用所述金属纳米结构的表面等离子激元效应来获得陷光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 薄膜 晶体 硅异质结 太阳电池 结构 | ||
【主权项】：
一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构，其特征在于，所述的陷光结构包括：晶硅衬底(2)、在所述晶硅衬底(2)上的掺杂薄膜硅层(3)、在所述掺杂薄膜硅层(3)上的金属纳米结构(1)，以及在所述金属纳米结构(1)上的透明导电电极(4)；所述晶硅衬底(2)与所述掺杂薄膜硅层(3)相接的表面是没有经过特意织绒的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
