[发明专利]以影子非挥发存储器配置冗余存储的存储器无效
| 申请号： | 201010191269.4 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102270497A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王彬 | 申请（专利权）人： | 王彬 |
| 主分类号： | G11C11/4193 | 分类号： | G11C11/4193;G11C16/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200023 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种以影子非挥发存储器(Shadow Nonvolatile Memory)配置冗余(Redundancy)存储的存储器，属于半导体存储器技术领域。该发明提供的存储器包括存储阵列、对应于存储阵列中的普通行的普通字线、对应于存储阵列中的冗余行的冗余字线、行译码器、影子非挥发存储器以及字线选通管，所述普通字线、冗余字线与存储阵列之间分别串联设置字线选通管，所述字线选通管用于控制其所在的字线是否选通，所述影子非挥发存储器用于控制所述字线选通管的选通以进一步控制该字线选通管所在的字线是否选通。因此，可以实现选中某一冗余的行(或列)来代替失效存储单元所在的行(或列)。该存储器具有可靠性高、功耗低、体积小的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 影子 挥发 存储器 配置 冗余 存储 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括存储阵列、对应于存储阵列中的普通行的普通字线、对应于存储阵列中的冗余行的冗余字线、以及行译码器，其特征在于，还包括影子非挥发存储器和字线选通管，所述普通字线、冗余字线与存储阵列之间分别串联设置字线选通管，所述字线选通管用于控制其所在的字线是否选通，所述影子非挥发存储器用于控制所述字线选通管的选通以进一步控制该字线选通管所在的字线是否选通。
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