[发明专利]采用电沉积制备氟化钙或稀土掺杂氟化钙薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010188743.8 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101871114A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘润;徐铸德;王辉;陈科立 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C25D9/06 | 分类号： | C25D9/06;C25D7/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用电沉积制备氟化钙或稀土掺杂氟化钙薄膜的方法。包括如下步骤：1)用丙酮清洗ITO导电玻璃2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10～30分钟，接着将ITO导电玻璃放在10％的硝酸溶液中活化10～30秒，最后用去离子水清洗，待用；2)0.01～1mol/L乙二胺四乙酸二钠与钙离子的配合物溶液中，加入抗坏血酸钠，再加入氟化铵溶液，调节PH值为6～9，得到电解液，待用；3)以ITO导电玻璃为工作电极，铂电极为对电极，甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阳极沉积电位为0.8V～1.4V，得到氟化钙薄膜。本发明的优势在于设备简单，低成本，常压低温。除了适合于科学研究外，有望实现大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 用电 沉积 制备 氟化钙 稀土 掺杂 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种采用电沉积制备氟化钙薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：1)用丙酮清洗ITO导电玻璃2～3次，再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10～30分钟，接着将ITO导电玻璃放在10％的硝酸溶液中活化10～30秒，最后用去离子水清洗，待用；2)0.01～1摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠与钙离子配合物溶液中，加入0.02～2摩尔/升的抗坏血酸钠，再加入0.04～4摩尔/升的氟化铵溶液，调节溶液PH值为6～9，得到电解液，待用；3)以ITO导电玻璃为工作电极，铂电极为对电极，甘汞电极为参比电极组成三电极体系，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阳极沉积电位为0.8V～1.4V，沉积温度为25～80℃，得到氟化钙薄膜。
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