[发明专利]减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法无效
| 申请号： | 201010181291.0 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102254811A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 崔红星;乐陶然;钮峰;卓越 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法在主刻蚀过程中和过刻蚀过程中调节主要刻蚀气体通入到晶圆中心的气流量与通入到晶圆边缘的气流量的比率，使通入到晶圆中心的气流量大于通入到晶圆边缘的气流量，同时主刻蚀过程中及过刻蚀过程中通入的微调气体也同时通入到晶圆的中心部分，从而使得晶圆中心部分的得到充分的刻蚀，同时也保证了整个晶圆得到均匀的刻蚀，明显减少了经过主刻蚀及过刻蚀后晶圆图形上的刻蚀残留物，提高了晶圆进行下一工艺时的对准精度，提高了晶圆的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 刻蚀 残留物 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，包括主刻蚀和过刻蚀，其特征在于：所述主刻蚀过程中通入到晶圆中心部分的主要刻蚀气体的流量大于等于通入到晶圆边缘部分的主要刻蚀气体的流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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