[发明专利]基板的制造方法有效
申请号: | 201010174856.2 | 申请日: | 2010-04-29 |
公开(公告)号: | CN101908491A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 片冈祐治 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 冯雅;胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在基板层的主面的围堰材料的内侧填充树脂并使其固化而形成密封用的树脂层的基板的制造方法中,使围堰材料不会对后续的工序等造成不良影响。通过围堰材料形成工序,沿基板层(2)的主面的外周部配置由能从基板层(2)和树脂层(7)除去的材料形成的围堰材料(6),通过树脂层形成工序,在基板层(2)的主面的靠围堰材料(6)内侧的区域内以围堰材料(6)的高度以下的厚度填充树脂,使其固化,从而形成密封用的树脂层(7)。然后,在形成树脂层(7)后,通过围堰材料除去工序除去围堰材料(6),使围堰材料(6)不会对后续的切割工序造成不良影响。 | ||
搜索关键词: | 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种基板的制造方法,其特征在于,包括:围堰材料形成工序,在该围堰材料形成工序中,沿基板层的主面的外周部配置围堰材料;树脂层形成工序,在该树脂层形成工序中,在所述基板层的主面的被所述围堰材料包围的内侧的区域内以所述围堰材料的高度以下的厚度填充树脂,使其固化,从而形成树脂层;围堰材料除去工序,在该围堰材料除去工序中,在形成所述树脂层后将所述围堰材料除去;以及切割工序,在该切割工序中,在除去所述围堰材料后切割所述基板层和所述树脂层;所述围堰材料由能从所述基板层和树脂层除去的材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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