[发明专利]提升存储器元件辐射加固程度的电路与方法

摘要

本发明公开了一种电路及方法，该电路包括：电容器，具有包括彼此大体平行的多个条状物的至少一导体层；多个条状物中的两相邻条状物形成第一电容值；两相邻条状物的第一和第二条状物分别形成第一端和第二端；从第一端与第二端看进电容器的电容值包括多个第一电容值合成的电容值；存储器元件，具有耦接第一端的输入端及耦接第二端的输出端；电容器将电荷提供给输入端与输出端以改善存储器元件的辐射加固程度。本发明关于可改善SER FIT率的网状电容器。在一实施例中，电容器连接于一正反器中一闩锁器的输入端与输出端之间，使正反器难以因辐射(例如中子或α粒子)而翻转。在某些实施例中，电容器位于正反器的正上方以节省芯片布局面积。

主权项

一种电路，包括：一电容器，具有至少一导体层，该导体层包括彼此大体平行的多个条状物；所述多个条状物中的两相邻条状物形成一第一电容值；该两相邻条状物的一第一条状物形成一第一端，而两相邻条状物的一第二条状物形成一第二端；从该第一端与该第二端看进该电容器的电容值包括多个该第一电容值所合成的电容值；以及一存储器元件，具有一输入端及一输出端，该输入端耦接该第一端，而该输出端耦接该第二端；其中该电容器将电荷提供给该输入端与该输出端以改善该存储器元件的辐射加固程度。