[发明专利]单晶体管EEPROM阵列及操作方法有效
| 申请号： | 201010148475.7 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101887755A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 吴俊沛;谢佳达;洪至伟;陈宏岳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/22 | 分类号： | G11C16/22 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 孙征;陆鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构，包括电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)阵列，其包括：按行和列排列的EEPROM单元，沿列方向延伸的多条字线和多条漏极线，以及沿行方向延伸的多条源极线。多条字线中的每一条均连接到同一列中的EEPROM单元的控制栅。多条漏极线中的每一条均连接到同一列中的EEPROM单元的漏极，其中没有一条漏极线被EEPROM单元的相邻列共享。多条源极线中的每一条均连接到同一行中的EEPROM单元的源极。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 eeprom 阵列 操作方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)阵列，包括：按行和列排列的EEPROM单元；沿列方向延伸的多条字线，其中，所述多条字线中的每条均连接到同一列中的所述EEPROM单元的控制栅；沿所述列方向延伸的多条漏极线，其中，所述多条漏极线中的每条均连接到同一列中的所述EEPROM单元的漏极，以及其中所述多条漏极线都不被所述EEPROM单元的相邻列共享；以及沿行方向延伸的多条源极线，其中，所述多条源极线中的每条均连接到同一行中的所述EEPROM单元的源极。
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