[发明专利]一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法有效
| 申请号： | 201010145284.5 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102214555A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的蓝宝石晶片进行清洗；步骤2：在蓝宝石晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将蓝宝石晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对蓝宝石晶片背面进行减薄；步骤5：对蓝宝石晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对蓝宝石晶片背面进行中度研磨；步骤7：对蓝宝石晶片背面进行低度研磨；步骤8：对蓝宝石晶片背面进行精细研磨；步骤9：对蓝宝石晶片背面进行抛光；步骤10：对蓝宝石晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后蓝宝石衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 晶片 进行 方法 | ||
【主权项】：
一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：对在正面制作电路的蓝宝石晶片进行清洗；步骤2：在蓝宝石晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将蓝宝石晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对蓝宝石晶片背面进行减薄；步骤5：对蓝宝石晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对蓝宝石晶片背面进行中度研磨；步骤7：对蓝宝石晶片背面进行低度研磨；步骤8：对蓝宝石晶片背面进行精细研磨；步骤9：对蓝宝石晶片背面进行抛光；步骤10：对蓝宝石晶片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
