[发明专利]一种发光二极管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010140053.5 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102208508A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 黄尊祥;杨凯;李涛;彭绍文;刘建鋆;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管结构，包括基板、外延层、第一电极和第二电极；外延层生长在基板上，依次包括遂穿层、p型限制层、有源层、n型限制层、晶向蚀刻层和欧姆接触层，第一电极形成在欧姆接触层上，第二电极形成在基板上。其制造方法是：在一基板上生长外延层；在欧姆接触层上蒸镀形成第一电极层；用蚀刻液去蚀刻欧姆接触层，用晶向蚀刻液去腐蚀晶向蚀刻层；减薄基板，并用热蒸发的方式在基板的表面形成第二电极。本发明通过化学溶液腐蚀带有晶向蚀刻的n型层，在发光表面形成规则的光学几何形状，大大降低了全反射造成出射光的损耗，提高了出光效率，试验证明亮度可提高80％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，其特征在于：包括基板、外延层、第一电极和第二电极；外延层生长在基板上，依次包括遂穿层、p型限制层、有源层、n型限制层、晶向蚀刻层和欧姆接触层，第一电极形成在欧姆接触层上，第二电极形成在基板上。
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