[发明专利]薄膜太阳能电池用高纯钼靶及其制备方法无效
| 申请号： | 201010139101.9 | 申请日： | 2010-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101792897A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王玉华;孟勇;张慧茹;韩伟东 | 申请（专利权）人： | 韩伟东 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C22C27/04;B22F9/22;B22F3/16 |
| 代理公司： | 宝鸡市新发明专利事务所 61106 | 代理人： | 席树文 |
| 地址： | 721013 陕西省宝鸡市马营*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明目的是提供一种薄膜太阳能电池用高纯钼靶及其制备方法，以提高太阳能电池的质量。薄膜太阳能电池用高纯钼靶，其是采用纯度≥99.97％，密度大于10.18g/cm3，尤其是杂质氧含量≤0.004％的钼板制成。其是按照如下步骤实现：制备高纯度三氧化钼，首先采用高纯氢气在550-600℃进行一次还原；然后在950-1000℃二次还原；还原后依次通过混料、筛分、等静压成型；然后在1950-2000℃下中频感应烧结；再在1400-1450℃热锻；1350-1400℃热轧；最后通过机械加到规定规格，检验即可。本发明优点是薄膜太阳能电池用高纯钼靶具有高纯度、高密度和良好的均匀性的特点，极大提高了溅射靶材的利用率，应用于太阳能电池行业具有很高的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 高纯 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
薄膜太阳能电池用高纯钼靶，其特征是采用纯度≥99.97％，密度大于10.18g/cm3，尤其是杂质氧含量≤0.004％的钼板制成。
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