[发明专利]改善出光率的发光二极管结构以及制造方法无效
| 申请号： | 201010137095.3 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101853911A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 汤英文;王小兰;程海英;郑畅达 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善出光率的发光二极管结构以及方法，用于改善芯片的出光率，提高光效。本发明提出的结构包括图形化的衬底和在图形化衬底上生长的发光材料，其中图形化衬底上包括图形凸起，在所述凸起上沉积有折射率比衬底的折射率小的透明材料层。本发明选择了折射率比衬底小的透明掩膜，例如衬底选择蓝宝石，掩膜选择二氧化硅。且最后并不去掉掩膜，在生长发光层的时候，掩膜存在于衬底与发光材料之间。经过测试，这种保留掩膜的结构可以大大提高出光率，使同等芯片的光效更高，提高出光率在20％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 出光率 发光二极管 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种改善出光率的发光二极管结构，包括图形化的衬底和在图形化衬底上生长的发光材料，其中图形化衬底上包括图形凸起，其特征在于：在所述凸起上沉积有折射率比衬底的折射率小的透明材料层。
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