[发明专利]一种用于中温质子交换膜中的膦酸基烷氧基硅烷的制备方法无效
| 申请号： | 201010128612.0 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101792470A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 沈春晖 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C07F19/00 | 分类号： | C07F19/00;H01M8/02;H01M2/16 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于中温质子交换膜中的非水型质子导电单元膦酸基烷氧基硅烷的制备方法。制备步骤为：于紫外光照射过的含氢硅氧烷和乙酰丙酮铂中，加入烯基膦酸的有机溶液，在氮气保护和室温水浴冷却下，室温反应1.0～1.5小时，真空干燥制备得到的。该方法通过硅氢化反应制备膦酸基烷氧基硅烷，具有室温下即可发生反应，反应温度低、速度快、产物收率高、副反应少的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 质子 交换 中的 膦酸基烷氧基 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于中温质子交换膜中的膦酸基烷氧基硅烷的制备方法，其特征在于：它由烯基磷酸和含氢硅氧烷在催化剂乙酰丙酮铂的作用下通过硅氢加成反应制备得到。
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