[发明专利]一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺有效
| 申请号： | 201010124223.0 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101777606A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 焦云峰;杨青天;衣兰杰;姜言森 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 山东省济南市经十东路3076*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体硅太阳电池制备的技术领域，具体涉及一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺。本发明的工艺简单、成本低的晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括浓磷扩散；磷硅玻璃去除；印刷腐蚀剂刻蚀；腐蚀剂的清洗去除步骤，该工艺制备的太阳电池具有良好表面钝化的浅发射结能够获得高的短波响应，同时在栅线区域的重掺杂使电池获得良好的欧姆接触，获得较高的电池转换效率，并且该工艺步骤简单，相对传统工艺需增加的设备较少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 选择性 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺，包括如下步骤：（1）浓磷扩散；（2）磷硅玻璃去除；（3）印刷腐蚀剂刻蚀；（4）腐蚀剂的清洗去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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