[发明专利]用于表面增强拉曼光谱法的宽带结构无效
| 申请号： | 200980158045.9 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102348966A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李智勇;胡敏 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G01J3/44 | 分类号： | G01J3/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中公开了用于表面增强拉曼光谱法的宽带结构(10、10’、10”)。所述结构(10、10’、10”)的每一个实施例都包括金属层和设置在该金属层的至少一部分上的介电层(16A、16S、16P)。该介电层(16A、16S、16P)具有受控的厚度，所述受控的厚度从所述介电层(16A、16S、16P)的至少一部分到所述介电层的至少另一部分发生变化。至少在所述介电层(16A、16S、16P)的所述一部分处以及所述介电层(16A、16S、16P)的所述另一部分处，在所述介电层(16A、16S、16P)上设置纳米结构，所述纳米结构由此被配置为呈现可变的等离子体共振。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表面 增强 光谱 宽带 结构 | ||
【主权项】：
一种用于表面增强拉曼光谱法的宽带结构(10、10’、10”)，包括：金属层(14)；设置在所述金属层(14)的至少一部分上的介电层(16A、16S、16P)，所述介电层(16A、16S、16P)具有受控的厚度(t)，所述受控的厚度从所述介电层(16A、16S、16P)的至少一部分到所述介电层(16A、16S、16P)的至少另一部分发生变化；以及至少在所述介电层(16A、16S、16P)的所述一部分处以及所述介电层(16A、16S、16P)的所述另一部分处设置在所述介电层(16A、16S、16P)上的纳米结构(18)，所述纳米结构(18)由此被配置为呈现可变的等离子体共振。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普开发有限公司，未经惠普开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980158045.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
