[发明专利]用于表面增强拉曼光谱法的宽带结构

权利要求书

1.一种用于表面增强拉曼光谱法的宽带结构(10、10’、10”)，包括：

金属层(14)；

设置在所述金属层(14)的至少一部分上的介电层(16_A、16_S、16_P)，所述介电层(16_A、16_S、16_P)具有受控的厚度(t)，所述受控的厚度从所述介电层(16_A、16_S、16_P)的至少一部分到所述介电层(16_A、16_S、16_P)的至少另一部分发生变化；以及

至少在所述介电层(16_A、16_S、16_P)的所述一部分处以及所述介电层(16_A、16_S、16_P)的所述另一部分处设置在所述介电层(16_A、16_S、16_P)上的纳米结构(18)，所述纳米结构(18)由此被配置为呈现可变的等离子体共振。

2.如权利要求1所述的宽带结构(10、10’、10”)，其中，所述介电层(16_A、16_S、16_P)具有弧形形状。

3.如权利要求1所述的宽带结构(10、10’、10”)，其中，所述介电层(16_A、16_S、16_P)的表面的至少一部分具有相对于所述金属层(14)的表面的斜度。

4.如权利要求1或3中任一项所述的宽带结构(10、10’、10”)，其中，所述介电层(16_A、16_S、16_P)具有金字塔形状。

5.如权利要求1至4中任一项所述的宽带结构(10、10’、10”)，其中，所述介电层(16_A、16_S、16_P)的所述厚度(t)沿着所述介电层(16_A、16_S、16_P)的整个长度(L)持续变化。

6.如权利要求1所述的宽带结构(10、10’、10”)，其中，所述介电层(16_A、16_S、16_P)具有多台阶形状，其中，所述介电层(16_A、16_S、16_P)的所述一部分和所述介电层(16_A、16_S、16_P)的所述另一部分均限定所述多台阶形状中的一个台阶。

7.一种用于制造如权利要求1所述的宽带结构(10)的方法，所述方法包括：

将具有预定尺寸的多个球形珠(22)组装到第一衬底(24)上；

使用设置在第二衬底(26)的表面上的粘合剂(28)将所述多个球形珠(22)锚定至所述第二衬底(26)上，从而形成压印模具(20)；

将所述压印模具(20)压入设置在所述金属层(14)上的可固化介电材料(16)中，从而将所述多个球形珠(22)的图案传递给所述可固化介电材料(16)；

固化所述可固化介电材料(16)，从而形成所述介电层(16_A)；

从所述介电层(16_A)释放所述压印模具(20)；并且

在所述介电层(16_A)上设置所述纳米结构(18)。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：通过选择所述多个球形珠(22)的所述预定尺寸来控制所述介电层(16_A)的变化的厚度(t)。