[实用新型]一种彩色太阳能光伏组件有效

申请号：	200920238621.8	申请日：	2009-11-06
公开（公告）号：	CN201570502U	公开（公告）日：	2010-09-01
发明（设计）人：	张卫东	申请（专利权）人：	张卫东
主分类号：	H01L31/0248	分类号：	H01L31/0248;H01L31/048;E04D13/18;E04B2/88
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	410001 ***	国省代码：	湖南;43
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摘要：	本实用新型涉及太阳能光伏领域，公开了一种彩色太阳能光伏组件。其包括：由上而下顺次设置的透光面板层、彩色太阳电池层、以及底板层；所述彩色太阳能电池层包括彩色太阳能电池芯片、以及用于固定所述太阳能电池芯片的基板。其安装到建筑物的墙面、顶面更加方便、美观。
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【主权项】：

一种太阳能光伏组件，其特征是，包括：由上而下顺次设置的透光面板层、彩色太阳电池层、以及底板层；所述彩色太阳能电池层包括彩色太阳能电池芯片、以及用于固定所述太阳能电池芯片的基板。

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摘要：本发明公开了一种可提升太阳能发电效益的结构及其制造方法。该可提升太阳能发电效益的结构包含一发电单元，及一导电单元。该发电单元包括一P型半导体层，及一与该P型半导体层连接的N型半导体层，该N型半导体层是由多个N型材料，及一包覆该多个N型材料的导电材料所组成。该导电单元包括一与该P型半导体层连接的导电底层，及一与该N型半导体层连接的导电顶层。本发明将N型半导体层的结构做重新安排，此重新安排的结构可以降低分离的电子‑电洞对重新复合的机率，电子快速被传导至总线。

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摘要：本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。

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摘要：本发明涉及一种基于碳纤维@二硫化钨纳米片核壳复合结构的高效光电转换器及其制备方法，属于新材料及其应用技术领域。本发明提出的光电转换器采用碳纤维@二硫化钨纳米片核壳复合结构为光电转换材料，并在每根碳纤维@二硫化钨纳米片核壳复合结构的碳纤维两端构建欧姆电极，然后并联到太阳能接收装置中，与低压电源和电器串联组合，即得到所述光电转换器。本发明所设计的光电转换器的结构简洁，器件的制备设备和工艺简单，所制备的器件的结构和性能稳定，产品收率高、成本低廉、生产过程清洁环保。本发明所制备的光电转换器，光电转化效率高，可用作太阳能发电装置和光信号灵敏探测器。

一种以光子晶体作为入射窗的氮化镓基紫外探测器-201510284031.9
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申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：一种以光子晶体作为入射窗的氮化镓基紫外探测器，其特征在于，包括由下而上依次设置的阴极电极101、n型Alx1Ga1‑x1N层102、Aly1Ga1‑y1N/Aly2Ga1‑y2N多量子阱雪崩增益区103、Aly3Ga1‑y3N/Aly4Ga1‑y4N超晶格吸收区104、p型Alx2Ga1‑x2N层105、环形阳极电极107和制作于p型Alx2Ga1‑x2N层105表面、但局限于阳极电极环107内的光子禁带隙宽度可调的光子晶体入射窗106。本发明的有益效果为极大程度地降低背景噪声，有效提高信噪比，通过设置光子晶体入射窗结构，可提高带通区光线在吸收区的进光量50％以上，而对波长位于带通区外但又落在光子禁带内的光线，则可滤掉其进光量80％以上。既保证了探测器具有高灵敏度和高增益，又有效地降低了探测器的背景噪声与暗电流，有益于提高探测器的可靠性与稳定性。

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摘要：本发明提供了包括耐热缓冲层的光伏器件及其制造方法，其中，该光伏器件包括衬底、设置在衬底之上的背面接触层、设置在背面接触层之上的包括吸收材料的吸收层、以及设置在吸收层之上的缓冲层。缓冲层包括包含掺锌的吸收材料的第一层以及包含含锌化合物和含镉化合物的第二层。

太阳能电池及其制造方法-201310164677.4
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申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括半导体基板，其具有第一导电类型；在所述半导体基板的表面上的发射层，该发射层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；以及电极，其包括电连接到所述发射层的第一电极和电连接到所述半导体基板的第二电极。所述发射层包括与所述第一电极相邻的高浓度掺杂部分以及在不包括所述高浓度掺杂部分的区域中的低浓度掺杂部分。所述低浓度掺杂部分具有比所述高浓度掺杂部分的电阻高的电阻。所述高浓度掺杂部分包括具有第一电阻的第一区域以及具有比所述第一电阻高的第二电阻的第二区域。

一种具有透明电极的P型晶体硅太阳能电池-201620284787.3
发明人：钟宝申;李华;赵科雄 -专利权人：乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：本实用新型公开一种具有透明电极的P型晶体硅太阳能电池，由上至下依次包括：正面金属电极、正面透明导电膜、正面减反射膜/钝化膜、N型层、P型硅基体和背面电极；正面电极为所述的N型层表面按照规则图案成型有局部重掺杂N+区，所述的正面透明导电膜与局部重掺杂N+区直接接触，正面透明导电膜将局部重掺杂N+区及正面金属电极连接成为正面电极。该电池采用与硅基体局部接触的透明导电膜作为太阳能电池的正面或背面透明电极，有利于透明导电膜与硅基体形成良好的欧姆接触。

异质结太阳能电池及其制造方法-201510035564.3
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申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：一种异质结太阳能电池包含半导体基板、第一n型缓冲层、第二n型缓冲层、第一非晶硅半导体层、第二非晶硅半导体层、第一透明导电层以及第二透明导电层。其中，其制造方法首先是提供一半导体基板；接着在半导体基板的第一表面与第二表面上分别形成第一n型缓冲层与第二n型缓冲层；然后在第一n型缓冲层与第二n型缓冲层上分别形成第一非晶硅半导体层与第二非晶硅半导体层；接下来在第一非晶硅半导体层与第二非晶硅半导体层上分别形成第一透明导电层与第二透明导电层；最后在第一透明导电层与第二透明导电层上分别设置第一导线与第二导线，缓冲层具有降低界面缺陷浓度、降低阻值与增强场效应的钝化效果。

低温溶液法制备掺Mg的ZnO薄膜窗口层的制备方法及其应用-201610175611.9
发明人：王林军;徐文强;徐闰;吴杨琳;徐海涛;葛升;王文贞 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-03-26 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：本发明涉及的是一种使用低温溶液法制备出掺杂Mg的ZnO的薄膜窗口层的方法，属于太阳能电池薄膜制备工艺技术领域。在其中使用低温溶液法制备掺Mg的ZnO薄膜窗口层的方法是：通过制备MgO和ZnO混合物纳米颗粒，并将其溶于正丁醇制得的旋涂液，通过旋涂和热成膜处理制得掺杂Mg的ZnO窗口层薄膜。优化制备条件后制得的薄膜窗口层可直接应用到钙钛矿太阳能电池中，并且器件显示出具有一定的光电转换效率。

一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构-201510947270.8
发明人：马英杰;张永刚;顾溢;陈星佑 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性In_xGa_1-xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的In_xGa_1-xAs、0.53<x≤1作为量子阱层，厚度为b的In_yGa_1-yAs、0≤y<0.53作为势垒层。本发明的材料结构可以在保证较高材料质量的情况下，根据需要方便地将InGaAs光吸收长波截止波长延伸到1.7-3.0μm之间，特别适合于扩展InGaAs探测器的光响应波长，同时具有其它广泛的应用前景。

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摘要：本发明公开了一种在GaAs衬底上生长GaInNAs薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗GaAs衬底；(2)对GaAs衬底进行除气预处理；(3)对GaAs衬底进行脱氧化膜处理；(4)生长GaAs浸润层；(5)生长InGaAs/GaAsN超晶格层；(6)生长GaInNAs外延层薄膜。本发明得到的GaInNAs薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。

光检测元件和该光检测元件的制造方法-201180048331.7
发明人：濑户弘之;中川原修;下藤奏子 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：本发明涉及光检测元件和该光检测元件的制造方法。该光检测元件中，由ZnO构成主成分的感应层1形成在基板3的表面，而且在该感应层1的表面隔着规定间隔t（例如，5～10μm）相对状地配置一对电极2a、2b，形成所谓平面型结构。另外，在感应层1露出表面的规定间隔部分5和电极2a、2b的端部形成由ZnO构成主成分的非感应层4，在该非感应层4的表面形成由SiO2等构成的绝缘保护膜6。由此，实现能够抑制暗电流、具有良好的过渡特性和下降特性，并且分光特性也优异的高性能的紫外线传感器等的光检测元件。在基板的表面形成电极和感应层，在感应层的表面依次形成非感应层和绝缘保护膜时也能够得到同样的效果。

太阳能电池及其制造方法-201110350486.8
发明人：萧旭东;张撷秋;杨世航;朱家宽;邹承德;叶荏硕 -专利权人：香港中文大学
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：公开了用作薄膜太阳能电池的吸收层的黄铜矿吸收层晶界的钝化方法，该方法基于将晶界被钝化的黄铜矿吸收层通过超高真空共蒸镀而获得。还公开了采用上述方法制造的太阳能电池。

一种单晶N型电池组件-201220027457.8
发明人：孙凤霞 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：本实用新型提供了一种单晶N型电池组件，该单晶N型电池组件的电池片(1)为N型硅片，且该N型硅片的正面和背面分别采用硼扩散、磷扩散形成PN结，且其正面和背面分别设置有第一金属电极(2)和第二金属电极(4)。由于本实用新型提供的单晶N型电池组件中，所述电池片(1)采用N型硅片，其正面和背面分别采用硼扩散、磷扩散形成PN结并分别设置有第一金属电极(2)和第二金属电极(4)，实现了所述电池片(1)的双面发电；且由于所述电池片(1)的背面没有铝背场，没有铝跟硅接触面的复合，减少了被复合掉的有效光，提高了电池组件的转换效率，进而减少了在做同样功率的电站或电池组件时占用的方阵空间。

四端子多结薄膜光伏装置和方法-200980133055.7
发明人：霍华德·W·H·李 -专利权人：思阳公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：本发明提供了一种多结光伏电池装置。该装置包括下电池和上电池，该上电池可操作性地连接至下电池。在一个具体实施方式中，下电池包括下玻璃基板材料，例如，透明玻璃。下电池还包括覆盖玻璃材料的由反射材料制成的下电极层。下电池包括覆盖下电极层的下吸收剂层。在一个具体实施方式中，吸收剂层由具有在Eg＝0.7eV至1eV范围内的带隙能量的半导体材料制成，但是也可以是其它材料。在一个具体实施方式中，下电池包括覆盖下吸收剂层的下窗口层以及覆盖下窗口层的下透明导电氧化物层。上电池包括覆盖下透明导电氧化物层的p+型透明导体层。在一个优选的实施方式中，p+型透明导体层由穿过在至少从约700纳米至约630纳米波长范围内的电磁辐射并过滤在从约490纳米至约450纳米波长范围内的电磁辐射来表征。在一个具体实施方式中，上电池具有覆盖p+型透明导体层的上p型吸收剂层。在一个优选的实施方式中，由半导体材料制成的p型导体层具有在Eg＝1.6eV至1.9eV范围内的带隙能量，但也可以是其它带隙能量。上电池还具有覆盖上p型吸收剂层的上n型窗口层、覆盖上n型窗口层的上透明导电氧化物层、以及覆盖上透明导电氧化物层的上玻璃材料。

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摘要：本实用新型涉及一种硅片，尤其是涉及一种太阳能电池晶体硅片。其主要是解决现有技术所存在的硅片的硅材料消耗太大，一般硅材料的利用率只有50%左右的问题；本实用新型还解决了厚的硅片会造成太阳能电池的硅的利用率很低，从而用于制造太阳能电池的高纯硅的成本非常高等的技术问题。本实用新型包括底板（1），其特征在于所述的底板（1）上设有高纯度硅层（2），底板或高纯度硅层上设有印刷电路（3）。

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摘要：本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法，主要解决了现有β射线探测器灵敏度低，抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触(1)、掺杂浓度为1×1019～3×1019cm-3发射区(2)、厚0.5μm掺杂浓度为1×1017～5×1017cm-3的p型基区外延层(3)、掺杂浓度为5×1014～5×1015cm-3的n型集电区外延层(4)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型高掺杂SiC衬底(5)和衬底背面集电极欧姆接触(6)，该发射极欧姆接触(1)由一条水平栅条和多条垂直栅条组成，垂直栅条宽h＝5μm，其间距是栅宽的8～12倍，水平栅条宽度为垂直栅条宽度的2～10倍，长度是垂直栅条长度的1～10倍。本发明在300℃高温下工作，抗辐射性强，灵敏度高，工作电压低，可用于辐射监测领域。

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发明人：王懿喆;马小凤;周呈悦 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：本发明公开了一种硅基太阳能电池及其制备方法，该电池包括：在硅单晶基片上依次制备有吸收层、作为窗口层的非晶硅层、透明导电膜层和金属栅线。所说的吸收层为硅量子点类超晶格结构层，该结构层由多个周期，每个周期依次有叠合的SiO2层和量子点纳米硅层组成。各个周期量子点纳米硅层的厚度是递减的，所包含的量子点尺度同样也是递减的；每个周期的SiO2膜厚保持不变。该制备方法的特征是通过采用等离子体增强型化学气相沉积多个周期交替排列的SiO2膜层和非晶硅层及热处理的方法，使沉积的吸收层成为硅量子点类超晶格结构层，解决了量子点尺度不可控的难点。该电池的优点是：对入射太阳光可广谱吸收，从而提高了电池的光电转换效率。

一种彩色太阳能光伏组件-200920238621.8
发明人：张卫东 -专利权人：张卫东
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/0248
摘要：本实用新型涉及太阳能光伏领域，公开了一种彩色太阳能光伏组件。其包括：由上而下顺次设置的透光面板层、彩色太阳电池层、以及底板层；所述彩色太阳能电池层包括彩色太阳能电池芯片、以及用于固定所述太阳能电池芯片的基板。其安装到建筑物的墙面、顶面更加方便、美观。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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