[实用新型]过载能力提升的硅电容压力传感器

摘要

一种过压能力提升的硅电容压力传感器，其特征在于由三块板组装而成，结构相同的上、下固定极板上均有限位点，通过位于两固定极板中间的硅中心极板的可动电极实现过载限位；两玻璃的上固定极板(1)、下固定极板(3)相对内侧腐蚀区预留出限位点(8)，可动极板(6)与限位点(8)端面之间有间隙；在传感器的量程工作范围内，可动极板(6)不会碰到限位点(8)，当外加工作压力超过正常量程后，中心可动极板(6)由于位移加大，会与限位点(8)接触，此时存在于中心可动极板和固定上、下极板之间的两个电容发生相应的变化，通过外部电路检测出两电容的这种变化，实现对外加压力的测量；如果外加压力再增加，则可动极板(6)由于被限位点(8)抵住而不再发生移动，因限位点(8)的存在实现了对可动极板(6)的过载限位保护。本设计采用固定极板中的限位点限制电容极板中的可动极板位移量，保证了过载时传感器不被压力损坏，同时满足调整灵敏度和过载限位保护的矛盾要求。

主权项

1、一种过压能力提升的硅电容压力传感器，采用阳极键合工艺将三块板组装而成，其特征在于由上至下为玻璃的固定上极板(1)、硅中心极板(2)、玻璃的固定下极板(3)，上、下固定极板(1)、(3)中有限位点(8)及槽底的金属电极(9)，硅中心极板(2)中心区的可动极板(6)与限位点(8)端面之间有间隙，可动极板(6)和上、下固定极板(1)、(3)之间有两个电容(C1)、(C2)。