[发明专利]一种新型结构的大功率氮化镓基LED无效
| 申请号： | 200910264672.2 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101740691A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郝国栋;王怀兵;孔俊杰;范亚明;陈勇;黄晓辉 | 申请（专利权）人： | 苏州纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓基发光二极管，尤其涉及一种大功率氮化镓基发光二极管的结构，所述大功率氮化镓基的发光二极管自下而上包括：衬底、设置在衬底上的N型氮化镓层、设置在N型氮化镓层的高台面上的氮化铝镓空穴阻挡层、设置在空穴阻挡层上的非对称多量子阱有源层、设置在非对称多量子阱有源层上的P型氮化镓层、设置在P型氮化镓层上的P+-氮化铟镓导电层、设置在P+-氮化铟镓导电层上的氧化铟钛电极层；所述二氧化硅钝化层设置在整个发光二极管的顶表面和连接高低台面的侧表面；所述N电极设置在N型氮化镓层的低台面上，P电极设置在氧化铟钛电极层中间。本发明所述发光二极管结构可提高空穴的注入效率，提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 大功率 氮化 led | ||
【主权项】：
一种新型结构的大功率氮化镓基的发光二极管，包括：衬底、N型氮化镓层、氮化铝镓阻挡层、氮化铟镓/氮化镓多量子阱有源层、P型氮化镓层、P+-氮化铟镓导电层、氧化铟钛电极层、二氧化硅钝化层、P电极和N电极，其特征在于，其中，所述氮化铝镓阻挡层为空穴阻挡层；所述氮化铟镓/氮化镓多量子阱有源层为非对称多量子阱有源层，所述非对称多量子阱有源层中阱宽大小自下而上逐渐减小；所述N型氮化镓层呈高低台阶状，具有高台面和低台面；所述N电极设置在N型氮化镓层的低台面上；所述P电极设置在氧化铟钛电极层中间；所述大功率氮化镓基的发光二极管自下而上的结构为：衬底、设置在衬底上的N型氮化镓层、设置在N型氮化镓层的高台面上的氮化铝镓空穴阻挡层、设置在空穴阻挡层上的非对称多量子阱有源层、设置在非对称多量子阱有源层上的P型氮化镓层、设置在P型氮化镓层上的P+-氮化铟镓导电层、设置在P+-氮化铟镓导电层上的氧化铟钛电极层；所述二氧化硅钝化层设置在整个发光二极管的顶表面和侧表面上。
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