[发明专利]阵列基板及其制造方法

摘要

阵列基板及其制造方法。一种阵列基板包括：第一和第二栅极，位于基板上；栅绝缘层，位于第一和第二栅极上；第一和第二有源层，位于栅绝缘层上；层间绝缘层，位于第一和第二有源层上；第一至第四欧姆接触层，分别接触第一有源层的两侧和第二有源层的两侧；第一和第二源极以及第一和第二漏极，分别位于第一、第三、第二和第四欧姆接触层上；数据线，其连接到第一源极；第一钝化层；选通线，其连接到第一栅极；电源线；连接电极，其一端和另一端分别连接到第一漏极和第二栅极；第二钝化层；和像素电极，其连接到第二漏极。

主权项

一种阵列基板，该阵列基板包括：基板，其包括开关区域和驱动区域；第一和第二栅极，其位于所述基板上，并且分别位于所述开关区域和所述驱动区域内；栅绝缘层，其位于所述第一和第二栅极上，并且包括露出所述第一栅极的一部分的第一栅接触孔，和露出所述第二栅极的一部分的第二栅接触孔；第一和第二有源层，其位于所述栅绝缘层上，并且分别与所述第一和第二栅极相对应；层间绝缘层，其位于所述第一和第二有源层上，所述层间绝缘层包括第一至第四有源接触孔以及所述第一和第二栅接触孔，所述第一和第二有源接触孔分别露出所述第一有源层的两侧，所述第三和第四有源接触孔分别露出所述第二有源层的两侧；第一和第二欧姆接触层，其通过所述第一和第二有源接触孔分别与所述第一有源层的两侧接触；第三和第四欧姆接触层，其通过所述第三和第四有源接触孔分别与所述第二有源层的两侧接触；第一源极和第一漏极，其分别位于所述第一和第二欧姆接触层上；第二源极和第二漏极，其分别位于所述第三和第四欧姆接触层上；数据线，其位于所述层间绝缘层上，并且连接到所述第一源极；第一钝化层，其位于所述数据线、所述第一和第二源极以及所述第一和第二漏极上，并且包括第一和第二栅接触孔、露出所述第一漏极的一部分的第一漏接触孔、以及露出所述第二漏极的一部分的第二漏接触孔；选通线，其位于所述第一钝化层上，并且通过所述第一栅接触孔连接到所述第一栅极，所述选通线与所述数据线交叉；电源线，其位于所述第一钝化层上，并且与所述选通线平行且隔开；连接电极，其位于所述第一钝化层上，所述连接电极的一端通过所述第一漏接触孔连接到所述第一漏极，所述连接电极的另一端通过所述第二栅接触孔连接到所述第二栅极；第二钝化层，其位于所述选通线、所述电源线以及所述连接电极上，并且包括第二漏接触孔；以及像素电极，其位于所述第二钝化层上，并且通过所述第二漏接触孔连接到所述第二漏极。