[发明专利]电路、用于调节的方法以及调节回路的应用有效
| 申请号： | 200910208103.6 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101727956A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | L·达特;T·哈努施;M·福韦尔克 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔汽车股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 电路、用于调节的方法以及调节回路(30，40，100)的应用，所述调节回路(30，40，100)用于为了休眠模式而对CMOS电路(20)的数据保持电压(USP-USN)和/或漏电流(ILP+ILN)进行调节，其中，为了进行所述调节而使所述CMOS电路(20)工作在测量模式中，其中，在所述测量模式中仅漏电流(ILP+ILN)流过所述CMOS电路(20)；其中，所述调节回路(30，40，100)在所述测量模式中对所述数据保持电压(USP-USN)和/或所述漏电流(ILP+ILN)进行调节；以及其中，存储所述调节回路(30，40，100)的调节用于所述休眠模式。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 用于 调节 方法 以及 回路 应用 | ||
【主权项】：
电路，具有一数字CMOS电路(20)，所述数字CMOS电路(20)具有NMOS场效应晶体管(MN21，MN22)以及具有PMOS场效应晶体管(MP21，MP22)，具有一第一负载装置(40)，其中，所述数字CMOS电路(20)的NMOS场效应晶体管(MN21，MN22)的源极连接端子(SN)通过所述第一负载装置(40)与一第一供电电压(VSS)相连接，以及具有一第二负载装置(30)，其中，所述数字CMOS电路(20)的PMOS场效应晶体管(MP21，MP22)的源极连接端子(SP)通过所述第二负载装置(30)与一第二供电电压(VDD)相连接，以及具有一分析处理电路(100)，所述分析处理电路(100)为了对所述NMOS场效应晶体管(MN21，MN22)的源极连接端子(SN)上的一第一源极电压(USN)进行分析处理而与所述NMOS场效应晶体管(MN21，MN22)的源极连接端子(SN)相连接并且为了对所述PMOS场效应晶体管(MP21，MP22)的源极连接端子(SP)上的一第二源极电压(USP)进行分析处理而与所述PMOS场效应晶体管(MP21，MP22)的源极连接端子(SP)相连接，其中，所述分析处理电路(100)为了对所述第一负载装置(40)上的一第一电压降(U40)进行调节而与所述第一负载装置(40)的一第一控制输入端(41)相连接，以及其中，所述分析处理电路(100)为了对所述第二负载装置(30)上的一第二电压降(U30)进行调节而与所述第二负载装置(30)的一第二控制输入端(31)相连接。
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