[发明专利]基材的蚀刻方法有效
| 申请号： | 200910163590.9 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101676799A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/30;G03F7/32;G03F7/004;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基材的蚀刻方法，包含在基材上形成一光致抗蚀剂图案；对此基材施予化学蚀刻液体，其中此化学蚀刻液体包含扩散控制材料；移除化学蚀刻液体；及移除光致抗蚀剂。本发明的优点包含改善向下及横向的蚀刻速率，且没有化学品渗透至光致抗蚀剂所覆盖的基材；以聚合物控制有效控制化学性质来控制蚀刻速率；以聚合物的混合化学品来控制酸扩散长度以减少毛细力或渗透现象；使用加热板以使基材达到较高的温度。此外，在烘烤工艺之后，可消除聚合物残余物。顺应性蚀刻材料可在相同的蚀刻工艺及时间中针对不同目的来结合不同的化学品。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基材的蚀刻方法，包括：形成一光致抗蚀剂图案于该基材上；对该基材施予一化学蚀刻液体，其中该化学蚀刻液体包含一扩散控制材料；移除该化学蚀刻液体；以及移除该光致抗蚀剂图案。
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