[发明专利]直流辉光氧等离子体去除核聚变装置第一壁氢滞留的方法无效
| 申请号： | 200910116593.7 | 申请日： | 2009-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101533680A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 胡建生;李建刚;王小明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | G21B1/25 | 分类号： | G21B1/25;G21B1/13;H05H1/24 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230011安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了直流辉光氧等离子体去除核聚变装置第一壁氢滞留的方法，主要是为核聚变装置等离子体物理实验经济有效运行创造优化的壁条件，减少未来装置放射性氚在第一壁滞留导致的安全和环境问题。本发明的特征在于根据装置内碳和氢共同沉积的特点，使用等离子体辅助化学清除方法，在HT-7超导托卡马克和与ITER相似位型的EAST装置上，在第一壁壁温为400-470K的情况下，采用直流辉光等离子体技术，采用与碳和氢都易于发生化学反应的氧气，形成射频氧等离子体，实现第一壁碳氢再沉积层的清除，从而有效地清除滞留在装置第一壁上的氢滞留。为清除第一壁再沉积层、降低装置内氢滞留，降低粒子再循环，为核聚变装置高效运行创造很好的壁条件，为未来核聚变装置减少放射性氚在第一壁滞留导致的安全和环境问题。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 辉光 等离子体 去除 聚变 装置 第一 滞留 方法 | ||
【主权项】：
1、直流辉光氧等离子体去除核聚变装置第一壁氢滞留的方法，其特征在于：(1)利用等离子体辅助下氧与碳氢再沉积层发生化学反应的方法：在核聚变装置第一壁壁温为400-470K的情况下，对核聚变装置真空室充入纯氧气或者充入含10-90％氦气的氦氧混合气体，使用直流辉光放电激发产生氧等离子体1-10小时，对真空室第一壁进行有效的轰击和相互作用，有效地清除滞留在第一壁上的氢滞留，达到对第一壁再沉积层清除的作用，同时清除再沉积层中氢同位素；(2)在采用直流辉光放电激发氧等离子体去除核聚变装置第一壁氢滞留后，向真空室通入氦气或者氘气，使用直流辉光放电激发产生氦或者氘等离子体2-3小时，清洗清除在第一壁滞留的氧，实现等离子体快速恢复。
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