[发明专利]羟基磷灰石晶须/镁金属基复合材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910104272.5 申请日: 2009-07-07
公开(公告)号: CN101603160A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 高家诚;张敏;辛仁龙;陈飞宏 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C22C49/04 分类号: C22C49/04;C22C49/14;C22C47/14;C22C101/08
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 代理人: 李海华
地址: 400044重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明涉及羟基磷灰石晶须/镁金属基复合材料及其制备方法,复合材料由作为基材的金属镁和作为增强体的羟基磷灰石组成,其中金属镁为纯镁粉,羟基磷灰石为晶须状,羟基磷灰石为1~30wt%,镁粉为70~99wt%。其制备方法为:(1)镁粉的细化处理;(2)羟基磷灰石晶须的制备;(3)羟基磷灰石晶须/镁粉的混合;(4)压制烧结;(5)热挤压。本发明增强体晶须分布均匀、受损度低、尺度可控,既保证了复合材料的生物活性、又可改善复合材料的腐蚀速率和力学性能。制备方法简单,工艺过程污染少,特别适合于骨组织修复与替换。
搜索关键词: 羟基 磷灰石 金属 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种羟基磷灰石晶须/镁金属基复合材料,其特征在于:所述复合材料由作为基材的金属镁和作为增强体的羟基磷灰石组成,其中金属镁为纯镁,粉末状;羟基磷灰石为晶须状,长2~100μm,长径比大于10;复合材料各组分的质量百分含量为:羟基磷灰石为1~30wt%,镁粉为70~99wt%。
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  • 真空气压渗流法制备硼酸镁晶须增强镁基复合材料及制备方法-200910058531.5
  • 金培鹏;丁雨田;许广济;马国俊;王刚;王金辉 - 青海大学
  • 2009-03-03 - 2009-07-29 - C22C49/04
  • 本发明属于新材料领域技术,具体地说是涉及以低密度、高比强度、比刚度、易机械加工和回收的镁合金作为基体,以低成本的硼酸镁晶须作为增强体并使用真空气压渗流法制备镁基复合材料及制备工艺。本发明一种真空气压渗流法制备硼酸镁晶须增强镁基复合材料由硼酸镁晶须体积百分含量:25~30%,余量为镁及镁合金制备而成。本发明的制备工艺是:(1)硼酸镁晶须预制块的制备;(2)真空气压渗流法制备铸态复合材料锭坯;(3)热挤压锭坯。使用真空气压渗流法制备的这种复合材料较之基体合金弹性模量和抗拉强度有显著的提高,具有高比强度、比刚度、低热膨胀系数和良好的耐摩擦磨损性能;成本低,应用领域广泛。
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