[发明专利]一种多样性纳米结构的加工方法有效

专利信息
申请号: 200910083938.3 申请日: 2009-05-11
公开(公告)号: CN101554991A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 毛海央;吴文刚;张煜龙;郝一龙;王阳元 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 徐 宁;关 畅
地址: 100871北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种多样性纳米结构的加工方法,其步骤包括:1)准备并清洗衬底;2)在衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二;3)在薄膜二上旋涂光刻胶,并对光刻胶进行前烘和曝光,在薄膜二上形成光刻胶图形一;4)采用氧等离子体去胶机对光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀,在薄膜二上得到光刻胶图形二;5)用光刻胶图形二作为掩模,各向异性刻蚀薄膜二,形成薄膜二的纳米结构;6)在薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三;7)各向异性刻蚀薄膜三,在薄膜二的纳米结构四周形成纳米侧墙;8)各向异性刻蚀薄膜二的纳米结构,在衬底表面上留下纳米侧墙;9)以纳米侧墙为掩模,各向异性刻蚀衬底,在衬底上得到最终纳米结构;10)腐蚀掉最终纳米结构上残留的侧墙。
搜索关键词: 一种 多样性 纳米 结构 加工 方法
【主权项】:
1、一种多样性纳米结构的加工方法,其步骤包括:1)准备并清洗衬底;2)在所述衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二;3)在所述薄膜二上旋涂光刻胶,并对所述光刻胶进行前烘和曝光,之后对所述光刻胶进行显影,在所述薄膜二上形成光刻胶图形一;4)采用氧等离子体去胶机对所述光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀,在所述薄膜二上得到光刻胶图形二;5)用所述光刻胶图形二作为掩模,各向异性刻蚀所述薄膜二,形成薄膜二的纳米结构;6)在所述薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三;7)各向异性刻蚀所述薄膜三,在所述薄膜二的纳米结构四周形成薄膜三的纳米侧墙;8)各向异性刻蚀所述薄膜二的纳米结构,在所述衬底表面上留下所述薄膜三的纳米侧墙;9)以所述薄膜三的纳米侧墙为掩模,各向异性刻蚀所述衬底,在衬底上得到最终纳米结构;10)腐蚀掉所述最终纳米结构上残留的薄膜三的纳米侧墙,在衬底表面上留下所述最终纳米结构。
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