[发明专利]芯片级互连线缺陷分析方法有效
| 申请号： | 200910055899.6 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101988910A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郑勇;潘国华;袁远东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/225 | 分类号： | G01N23/225 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片级互连线缺陷分析方法，包括如下步骤：首先，分析芯片的gds设计图，确定每一根互连线对应的器件电极的性质，根据与不同电极连接的互连线能够被激发出的电子强度差异绘制标准互连线电压比较图；其次，用扫描电子显微镜对待测芯片的互连线进行扫描，根据与不同电极连接的互连线被激发出的电子强度差异得到待比较互连线电压比较图；两图相比，根据差异得出不良器件位置所在。从gds图生成的标准互连线电压比较图非常可靠；而且，计算机通过简单指令运算就能得出标准互连线电压比较图，不需要置备样品，不仅时间大为缩短、降低成本，而且能够避免因为“样品”的故障而出现错误。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 互连 缺陷 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片级互连线缺陷分析方法，其特征在于包括如下步骤：首先，分析芯片的gds设计图，确定每一根互连线对应的器件电极的性质，根据与不同电极连接的互连线能够被激发出的电子强度差异绘制标准互连线电压比较图；其次，用扫描电子显微镜对待测芯片的互连线进行扫描，根据与不同电极连接的互连线被激发出的电子强度差异得到待比较互连线电压比较图；两图相比，根据差异得出不良器件位置所在。
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