[发明专利]一种金属氧化物电阻片侧面的无机高阻层及其形成方法无效
| 申请号： | 200910055855.3 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101620903A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 崔旭东;李敬彪;黄云斌;尹雁姝 | 申请（专利权）人： | 正泰电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/12 | 分类号： | H01C7/12;H01C17/06;H01C17/30;C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201614上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属氧化物电阻片侧面的无机高阻层及其形成方法，属于电阻片技术领域。所述的无机高阻层，其特征在于，包括氧化锌1000～1200重量份、三氧化二铋1000～1100重量份、二氧化硅400～440重量份、三氧化二锑240～280重量份以及三氧化二铬150～200重量份。所述的在金属氧化物电阻片侧面形成无机高阻层的方法的特征是不需经过预烧步骤。本发明的优点是：生产周期短且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 电阻 侧面 无机 高阻层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属氧化物电阻片侧面的无机高阻层，其特征在于，包括氧化锌1000～1200重量份、三氧化二铋1000～1100重量份、二氧化硅400～440重量份、三氧化二锑240～280重量份以及三氧化二铬150～200重量份。
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