[发明专利]具有电绝缘的托板和阳极组件的沉积系统有效
| 申请号： | 200880009301.3 | 申请日： | 2008-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101641765A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | P·卡曾斯;H·C·卢安;T·帕斯;J·费雷尔;R·加拉尔多;S·F·迈耶 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种基片沉积系统。该沉积系统包括基片托板和阳极。所述基片托板具有底部和顶部。所述基片托板的顶部成形为用于保持基片。所述阳极具有相对于所述基片托板基本固定的位置，并配置为与所述基片托板一起移动通过沉积室。所述阳极与所述基片电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 阳极 组件 沉积 系统 | ||
【主权项】：
1.一种通过式沉积系统，该沉积系统包括：基片托板，该基片托板具有底部和顶部，该基片托板的顶部用于保持基片；以及阳极，该阳极相对于所述基片托板具有基本固定的位置，以使得所述阳极配置为与所述基片托板一起移动，其中，所述阳极与所述基片电绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
