[实用新型]高深宽比的硅基深槽结构无效
| 申请号： | 200820222266.0 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN201408748Y | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡长龙;马睿;刘欢;周顺;秦文罡;高爱华;刘卫国 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 程晓霞 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种掩蔽层保护性能良好、精确深度和线宽控制、对硅有良好的各向异性及快速深刻蚀速率，能大量应用的高深宽比的硅基深槽结构。在硅基底上沉积MgO薄膜作为刻蚀掩蔽层，在硅基底上刻蚀的槽深达420μm，深宽比为4∶1，侧壁垂直度达89°。本实用新型采用MgO薄膜为掩蔽层材料，对硅的刻蚀选择比高，刻蚀前沉积的MgO薄膜厚度为1.5μm，深槽刻蚀完毕后，硅基底上掩蔽层即刻蚀后的MgO薄膜厚度为100nm-250nm。有效地解决了掩蔽层在长时间刻蚀中会失去对硅的保护或掩蔽层过厚导致脱落的技术问题。刻蚀后深槽具有一定深宽比，侧壁垂直，可重复性好，成本低，无污染等优点，在微器件加工中有广泛的实用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 硅基深槽 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高深宽比的硅基深槽结构，包括硅基底，在硅基底上有刻蚀的槽，其特征在于：在硅基底(2)上沉积MgO薄膜作为掩蔽层(1)，在硅基底(2)上刻蚀的槽(3)槽深达420μm，深宽比为4∶1。
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