[实用新型]一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管有效
| 申请号： | 200820145815.9 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN201340856Y | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡建九;张银桥;张双翔;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管，N-GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n-GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1-xAs或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP布拉格反射层、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、p++AlxGa1-xAs和p-GaP组合电流扩展层，p++AlxGa1-xAs在下面为第一电流扩展层，p-GaP在上面为第二电流扩展层。此结构集GaP和AlxGa1-xAs材料的优点于一体，避免材料的氧化，保证电流扩展和器件的可靠性、稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 电流 扩展 结构 高效 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管，其特征在于：N-GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n-GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1-xAs或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP布拉格反射层、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、p++AlxGa1-xAs和p-GaP组合电流扩展层，p++AlxGa1-xAs在下面为第一电流扩展层，p-GaP在上面为第二电流扩展层。
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