[发明专利]一种多晶硅控档片、以及多晶硅控档片的回收方法无效
| 申请号： | 200810240169.9 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101477946A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 徐威;黄茹 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/66;B09B3/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅控档片、以及多晶硅控档片的回收方法，用于提高多晶硅控档片的利用率。具体技术方案包括：预先在多晶硅控档片表面生成氮化硅层，该回收方法包括：将使用后在氮化硅层之上沉积有多晶硅层的控档片放入氢氟酸、硝酸以及水的混合溶液中，去除沉积在氮化硅层之上的多晶硅层。该技术方案中，氮化硅层在多晶硅控档片的回收过程中起到很好的保护作用，避免多晶硅控档片在上述混酸中被腐蚀，从而提高了多晶硅控档片的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅控档片 以及 回收 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅控档片的回收方法，其特征在于，预先在所述控档片表面生成氮化硅层；所述回收方法包括：将使用后在所述氮化硅层之上沉积有多晶硅层的控档片放入氢氟酸、硝酸以及水的混合溶液中，去除沉积在所述氮化硅层之上的多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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