[发明专利]一种单晶硅片制绒的方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅片制绒的方法，包括腐蚀制绒、钝化、去除离子。本发明采用取消粗抛、改变配方、反应条件及处理流程的技术方案，克服了现有技术存在的制绒工艺过程难以控制，单晶硅片减薄量较大，在处理过程中硅片容易破裂，晶片形成的绒面不均匀，锥体结构尺寸粗大，导致晶片反射率大，短路电流(Isc)偏小，光电转换转效率较低的问题与不足，所提供的一种单晶硅片制绒的方法，实现了使腐蚀液处于易于控制的稳定状态，使晶片减薄量减小、形成的绒面均匀、锥体结构尺寸细密，达到了减小晶片反射率，增大短路电流(Isc)，提高了光电转换率的目的，同时从整体上提高了产品的质量、合格率，减少了化学试剂的用量，降低了成本。

主权项

1、一种单晶硅片制绒的方法包括腐蚀制绒、钝化、去除离子，其特征在于：所述的腐蚀制绒为，将清洗后待制绒的单晶硅片，置于盛有由重量百分比为0.8％分析纯的氢氧化钠NaOH、5.3％电子级的异丙醇C3H3O、1.4％分析纯的硅酸钠Na2SiO3·9H2O、92.5％的纯水H2O组成的制绒液的制绒槽中，在88℃±2℃液温，一个大气压，0.15MPa氮气微泡搅拌的条件下，腐蚀制绒25～35min，在单晶硅片表面上腐蚀形成显微锥体结构绒面的工序过程；所述的钝化为，将腐蚀制绒后的单晶硅片，置于盛有由重量百分比为17.3％分析纯的氢氟酸HF、82.7％的纯水H2O组成的钝化液的反应槽中，在液温为室温，一个大气压，0.15MPa氮气微泡搅拌的条件下，反应5～10min，除去单晶硅片表面上的氧化层并形成硅氢键的钝化处理过程；所述的去除离子为，将钝化后的单晶硅片，置于盛有由重量百分比为21％分析纯的盐酸HCl、79％的纯水H2O组成的酸洗液的酸洗槽中，在液温为室温，一个大气压，0.15MPa氮气微泡搅拌的条件下，中和酸洗5～10min，去除残留在单晶硅片表面上金属离子的中和酸洗过程。