[发明专利]空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法有效
| 申请号： | 200810147643.3 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101417803A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 戴自忠;涂大勇 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C30B29/06;C30B28/14 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 方 强 |
| 地址： | 614800四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，其特征在于：多晶硅氢还原炉的出气管外部设置有温度大大低于出气管温度的空气，通过空气流动与出气管换热，空气带走出气管的热量，降低出气管温度；所述空气的温度为常温，压力为0.5～0.8MPa；经过空气冷却后的多晶硅氢还原炉出气管温度范围为380～420℃；该方法可以达到良好的冷却效果，可以使多晶硅氢还原炉运行十分稳定正常，安全高效；空气流量调节自动稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 空气冷却 多晶 还原 气管 方法 | ||
【主权项】：
1、空气冷却多晶硅氢还原炉出气管的方法，其特征在于：多晶硅氢还原炉的出气管外部设置有温度大大低于出气管温度的空气，通过空气流动与出气管换热，空气带走出气管的热量，降低出气管温度；所述空气的温度为常温，压力为0.5～0.8Mpa；经过空气冷却后的多晶硅氢还原炉出气管温度范围为380～420℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川永祥多晶硅有限公司，未经四川永祥多晶硅有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810147643.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种凝灰岩、凝灰熔岩烧结砖及其制作方法
- 下一篇：内燃机气门摇臂装置
