[发明专利]光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法有效
| 申请号： | 200810134490.9 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101640235A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 叶颖超;黄世晟;涂博闵;林文禹;吴芃逸;詹世雄 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供光电元件粗化结构、粗化表面、粗化层及其制造方法。本发明提供一种具有双重尺度粗化结构的光电元件，其在光电元件的半导体层外延过程中，通过高浓度掺杂杂质，以使此半导体层成长出多个岛体。随后，降低外延温度以持续在多个岛体上形成多个针孔，其中针孔分布于岛体的顶部与侧面，可大幅降低光线在光电元件内部的全反射率，进而增加光电元件的光强表现。而和传统技术相比较而言，本发明提出的工艺具有低污染、工艺简单、成本低廉、光取出效率更佳、双重尺度出光面的有效面积较大等等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 结构 表面 粗化层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电元件粗化结构，包含：多个岛体，分布于该光电元件的半导体层上；以及多个针孔，分布于该多个岛体的顶部与侧面。
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