[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法无效
申请号: | 200810099138.6 | 申请日: | 2008-05-12 |
公开(公告)号: | CN101304033A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 土道淳一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 闫小龙;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于提供一种降低膜浮起以及膜剥离的显示装置。本发明的显示装置具有:形成在衬底(11)上的第一辅助电容电极、第二辅助电容电极、第一栅电极布线、以及形成在第二栅电极布线上的第一绝缘膜(13);形成在第一绝缘膜(13)上的源电极(16)以及漏电极(17)、以及形成在源极布线(5)上的第二绝缘膜(18);形成在第二绝缘膜(18)上的有机树脂膜(19);形成在有机树脂膜(19)上并且通过接触孔(22)与漏电极(17)、第二辅助电容电极、以及源极布线(5)连接的像素透过电极(24);形成在像素透过电极(24)以及有机树脂膜(19)上的一部分或全部的像素反射电极(25),其中,端子部的有机树脂膜具有比像素部的有机树脂膜的膜厚薄的膜厚调整区域。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,其中,具有:在衬底上的像素部所形成的第一辅助电容电极以及第一栅电极布线、及在端子部形成的第二辅助电容电极以及第二栅电极布线;在所述第一辅助电容电极、所述第二辅助电容电极、所述第一栅电极布线、以及所述第二栅电极布线上形成的第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上,在与所述像素部的所述第一栅电极布线对置的区域的一部分形成的源电极、在与所述第一栅电极布线对置的区域的另外一部分以及与所述第一辅助电容电极对置的区域形成的漏电极、以及在除了与所述端子部的所述第二辅助电容电极对置的区域以外的位置形成的源极布线;形成在所述源电极以及所述漏电极上、及所述源极布线上的第二绝缘膜;形成在所述第二绝缘膜上的有机树脂膜;像素透过电极,形成在所述有机树脂膜上,通过接触孔与所述漏电极、所述第二辅助电容电极、以及所述源极布线连接;像素反射电极,形成在所述像素透过电极以及所述有机树脂膜上的一部分或全部上,所述端子部的所述有机树脂膜具有比所述像素部的所述有机树脂膜的膜厚薄的膜厚调整区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810099138.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:厚壁锻件的热处理方法
- 下一篇:混合SAW/BAW传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的