[发明专利]等离子体产生装置有效
申请号: | 200810096081.4 | 申请日: | 2008-04-30 |
公开(公告)号: | CN101298668A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 金京俊;金炯一;申寅澈;田英洙;成明恩 | 申请(专利权)人: | K.C.科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;金玉兰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子体产生装置,其可以在所期望的位置混合源气体和活性气体。上述等离子体产生装置包括:等离子体产生单元;配置在等离子体产生单元下面的喷头,喷头与等离子体产生单元一起形成等离子体室,且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构,由上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间,且上板结构和下板结构中的一个具有被上下贯穿的多个导管;活性气体供应单元,该活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体;和源气体供应单元,该源气体供应单元向喷头内部的源气体流动空间供应源气体。由此,可以在所期望的位置上顺利混合源气体和活性气体以提高等离子体的沉积效率。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 产生 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体产生装置,其特征在于包括:等离子体产生单元;配置在上述等离子体产生单元下面的喷头,上述喷头与上述等离子体产生单元一起形成等离子体室,且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构,由上述上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间,且上述上板结构和下板结构中的一个具有沿上下方向被贯穿而形成活性气体喷射口的多个导管;活性气体供应单元,上述活性气体供应单元向上述等离子体产生单元供应活性气体;和源气体供应单元,上述源气体供应单元向在上述喷头内部的上述源气体流动空间供应源气体;上述源气体和活性气体在期望的位置上相混合。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的