[发明专利]嵌入式动态随机存取存储器有效
| 申请号： | 200810091755.1 | 申请日： | 2008-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101286362A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 许国源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4076 | 分类号： | G11C11/4076 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨;吴世华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种嵌入式动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称为DRAM)，包括一时钟信号、耦接至该时钟信号的至少一延迟锁相环(Delay Locked Loop，DLL)电路与耦接至所述控制信号的至少一嵌入式DRAM阵列。该DLL电路在经过配置后产生多个控制信号，其中每一控制信号基于该时钟信号而具有一预设延迟。该嵌入式DRAM阵列产生多个操作步骤且由所述控制信号控制。本发明的嵌入式动态随机存取存储器可精确地控制延迟时间(Delay Time)，且自动适应嵌入式DRAM中的不同内部控制的时钟信号变化。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式动态随机存取存储器，包括：一时钟信号；耦接至该时钟信号的至少一延迟锁相环电路，并且在经过配置后产生多个控制信号，其中每一控制信号基于该时钟信号而具有一预设延迟；以及耦接至所述控制信号的至少一嵌入式DRAM阵列；其中，该嵌入式DRAM阵列产生多个操作步骤且由所述控制信号控制。
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