[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810088314.6 | 申请日： | 2008-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101276878A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 藤庆彦;福泽英明;汤浅裕美;张坤亮;李民;原通子;黑崎义成 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11B5/39;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述绝缘层的厚度方向上通过电流的导体的电流限制层，并位于所述固定磁化层和所述自由磁化层之间；薄膜层，相对于所述自由磁化层位于所述分隔层的相对侧；及功能层，含有从Si、Mg、B、Al组成的组中选择的至少一种元素，并形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中至少一个层之中或之上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述绝缘层的厚度方向上通过电流的导体的电流限制层，并位于所述固定磁化层和所述自由磁化层之间；薄膜层，相对于所述自由磁化层位于所述分隔层的相对侧；及功能层，含有从Si、Mg、B、Al组成的组中选择的至少一种元素，并形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中至少一个层之中或之上。
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