[发明专利]灰阶掩模的缺陷修正方法和制造方法、灰阶掩模及图案转印方法无效
申请号: | 200810086584.3 | 申请日: | 2008-03-20 |
公开(公告)号: | CN101276140A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 佐野道明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种灰阶掩模(20)的缺陷修正方法,灰阶掩模(20)具备遮光部(21)、透光部(22)、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部(23),在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案,其中,半透光部(23)由半透光膜(26)形成,具有在半透光部(23)确定缺陷区域的工序;以及在包含缺陷区域的区域形成修正膜(27)的工序。修正膜(27)在相比于其中心部更靠周缘侧的部分,具有曝光光的透过量大于中心部的区域。 | ||
搜索关键词: | 灰阶掩模 缺陷 修正 方法 制造 图案 | ||
【主权项】:
1.一种灰阶掩模的缺陷修正方法,所述灰阶掩模具有对曝光光进行遮光的遮光部、使曝光光透过的透光部、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部,用于在被转印体上形成膜厚呈阶段性或连续性不同的抗蚀图案,其特征在于,具有:利用半透光膜形成所述半透光部,在所述半透光部确定缺陷区域的工序;和在包含所述缺陷区域的区域形成修正膜的工序,所述修正膜在相比于其中心部更靠周缘侧的部分具有曝光光的透过量大于中心部的区域。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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