[发明专利]具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构、方法及装置有效
| 申请号： | 200810074096.0 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101521201A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 刘侑宗;李淂裕 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/04;H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77;H01L21/82;H01L21/822;H01L21/84;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构、方法及装置，所述的具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构包含：一基板；一微晶硅层，形成于所述的基板上方一显示区域中，所述的微晶硅层供做所述的显示区域中复数个薄膜晶体管的主动层；及一多晶硅层，形成于所述的基板上方一驱动电路区域中，所述的多晶硅层供做所述的驱动电路区域中复数个薄膜晶体管的主动层，其中所述的微晶硅层的晶粒大小小于所述的多晶硅层的晶粒大小。应用本发明可提高所述的有机发光二极管显示器的发光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 微晶硅层 双底材 主动 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构，其特征在于，所述的具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构包含：一基板；一微晶硅层，形成于所述的基板上方一显示区域中，所述的微晶硅层供做所述的显示区域中复数个薄膜晶体管的主动层；及一多晶硅层，形成于所述的基板上方一驱动电路区域中，所述的多晶硅层供做所述的驱动电路区域中复数个薄膜晶体管的主动层，其中所述的微晶硅层的晶粒大小小于所述的多晶硅层的晶粒大小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
