[发明专利]利用直流反应磁控溅射制备p-ZnMgO薄膜的方法无效
申请号: | 200810059938.5 | 申请日: | 2008-03-04 |
公开(公告)号: | CN101235483A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 叶志镇;叶康;赵炳辉 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开的利用直流反应磁控溅射制备p-ZnMgO薄膜的方法,以Ga金属为施主掺杂源,以既含有N又含有O的单一反应气体制备p-ZnMgO薄膜的,掺杂浓度为1.64×1016-2.99×1018cm-3。其以ZnMgGa三元合金为靶材,制作方法简便,耗时少,可轻易制备不同含量的靶材。掺杂浓度可以通过调节输入的反应气体与Ar的不同分压比及靶材中Ga和Mg的含量来控制,掺杂浓度可控性、稳定性好。采用单一反应气体,简化了气流控制步骤,不需要退火就可以实现稳定优良的p型导电性。采用直流反应磁控溅射方法,可以大面积均匀生长p-ZnMgO薄膜。本发明方法制备的ZnMgO薄膜表面平整,晶粒大小均匀,具有择优取向。 | ||
搜索关键词: | 利用 直流 反应 磁控溅射 制备 znmgo 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.利用直流反应磁控溅射制备p-ZnMgO薄膜的方法,其步骤如下:先将衬底表面清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中,反应室抽真空,然后加热衬底,使衬底温度为400-600℃,以既含氧又含氮的气体作为反应气体,Ar作为溅射气体,该两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室,在缓冲室充分混合后引入真空反应室,在3-5Pa压强下,以GaxMgyZn1-x-y,0≤x≤0.01,0≤y≤0.15为靶材,进行生长。
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