[发明专利]在SONOS产品中制备ONO结构的方法有效
| 申请号： | 200810043327.1 | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101577250A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤;杨华;孙娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在SONOS产品中制备ONO结构的方法，该方法在硅衬底上形成有源区和浅沟槽隔离结构之后，包括如下步骤：1)依次淀积下层氧化膜、中间氮化膜层和上层氧化膜，光刻形成光刻胶图案；2)采用湿法刻蚀刻蚀上层氧化膜；3)光刻胶的侧向裁减；4)等离子刻蚀工艺刻蚀中间氮化膜层；5)湿法刻蚀去除下层氧化膜，最后去除光刻胶。本发明的方法消除原有工艺中氮化膜残留的问题，有利于提高ONO工艺制程的窗口。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 产品 制备 ono 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在SONOS产品中制备ONO结构的方法，其特征在于，在硅衬底上形成有源区和浅沟槽隔离结构之后，包括如下步骤：1)在硅衬底上依次淀积下层氧化膜、中间氮化膜层和上层氧化膜，涂覆光刻胶并光刻形成光刻胶图案；2)采用湿法刻蚀刻蚀所述上层氧化膜；3)光刻胶的侧向裁减，使光刻胶的侧向尺寸与上层氧化膜的侧向尺寸一致；4)等离子刻蚀工艺刻蚀中间氮化膜层，刻蚀停止在下层氧化膜内；5)湿法刻蚀去除下层氧化膜，最后去除光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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