[发明专利]高速写入相变存储器及其高速写入方法有效
| 申请号： | 200810041415.8 | 申请日： | 2008-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101359504A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 富聪;宋志棠;蔡道林;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/08;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高速写入相变存储器及其高速写入方法，其包括至少两个相互独立的地址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列地址译码器，可同时对多组对应于不同地址下的相变存储单元进行写入操作，使得数据写入周期小于传统相变存储单元的写入周期，从而提高相变存储器的写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 写入 相变 存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高速写入相变存储器，所述高速写入相变存储器包括地址寄存器和数据寄存器，用于存储多位数据和多位地址；SET驱动电路，用于同时驱动多位数据的并行写入；列选通器，用于同时选取通多条位线；行地址译码器；列地址译码器；相变电阻存储阵列；由所述列选通器、行地址译码器及列地址译码器控制；读出放大电路；RESET驱动电路；逻辑控制电路；用于控制各个电路之间的连接；其特征在于：所述高速写入相变存储器包括至少两个相互独立的地址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列地址译码器。
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