[发明专利]一种官能化的中空二氧化硅微球及其制备方法无效
| 申请号： | 200810037851.8 | 申请日： | 2008-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101289190A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 袁俊杰;浦鸿汀;杨正龙;滕新荣 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于复合材料和功能材料技术领域，具体为一种官能化的中空二氧化硅微球及其制备方法。该官能化中空二氧化硅微球是利用带有正电荷的聚苯乙烯微球为模板，利用碱作为刻蚀剂和催化剂，使硅烷偶联剂在聚苯乙烯微球表面缩合水解，同时聚苯乙烯微球本身被刻蚀掉后形成。由本发明制得各种官能基团官能化的中空二氧化硅微球密度小、比表面积大、带有特殊官能团，可以用于吸附重金属、质子交换膜导电率改性剂、功能填料、功能材料载体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 官能 中空 二氧化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种官能化的中空二氧化硅微球，其特征在于由下述方法制备获得：以表面带正电荷的聚苯乙烯微球作为模板，以碱为催化剂和刻蚀剂，使硅烷偶联剂在聚苯乙烯微球表面水解缩聚，形成带有官能基团二氧化硅壳层，同时，聚苯乙烯微球被碱刻蚀掉，最终形成官能基团官能化的中空二氧化硅微球；中空微球的内径为20nm-10μm。
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