[发明专利]增加源极金属接触面积的功率MOS场效应管制造方法无效
| 申请号： | 200810023698.3 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101266948A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周名辉;徐吉程 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/311;H01L21/308;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215021江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种增加源极金属接触面积的功率MOS场效应管制造方法，其特征在于：器件单胞阵列中的源极接触区只采用一次光刻并且结合干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，就能完成源极金属层与源极区顶部的横向接触平台和侧部的纵向接触侧面同时接触的效果，而现有技术至少需要采用两次光刻，相比之下本发明是以低成本的方式同样获得了增大源极金属层与源极区接触面积的效果，从而降低功率MOSFET场效应管的源极接触电阻，减少能量损耗，改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 金属 接触 面积 功率 mos 场效应 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增加源极金属接触面积的功率MOS场效应管制造方法，其中，对单胞阵列中的源极接触区采用光刻、刻蚀以及淀积金属层制作工艺，其特征在于：源极接触区的刻蚀依次采用以下方法：(1)以源极接触区光刻图形为掩膜，采用干法刻蚀方法，纵向连续刻蚀绝缘介质层、源极区氧化层以及第一主面，刻蚀深度至第一导电类型掺杂区下方的第二导电类型掺杂区位置，形成源极接触区沟槽，该沟槽的侧向形成有与第一导电类型掺杂区的接触侧面，底部形成有与第二导电类型掺杂区的接触底面；(2)以源极接触区光刻图形为掩膜，采用湿法腐蚀方法，横向同时腐蚀绝缘介质层和源极区氧化层，形成第一导电类型掺杂区顶部的横向接触平台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
