[发明专利]非易失性存储器的最高多级状态的较快编程有效

专利信息
申请号: 200780040266.7 申请日: 2007-10-15
公开(公告)号: CN101595527A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 格里特·简·赫民克;李希强 申请(专利权)人: 桑迪士克股份有限公司
主分类号: G11C16/12 分类号: G11C16/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在使用标准技术(不是粗略/精细编程)编程到最高状态的同时使用一种粗略/精细编程技术编程到较低状态。然而,当完成所述较低状态的编程时,仍需要若干编程脉冲来编程所述最高状态。为改善编程速度,可从最低状态已被编程的时刻起使用较大的步长及较长的编程脉冲。同时,可将用于最高状态的编程技术改变为粗略/精细编程技术。
搜索关键词: 非易失性存储器 最高 多级 状态 编程
【主权项】:
1、一种用于编程一组非易失性存储元件的方法,其包含:将一系列编程脉冲施加到所述非易失性存储元件,其中使每一连续脉冲递增第一步长直到较低状态的编程完成,然后使每一连续脉冲递增第二步长;及当较低状态的编程完成时,增加所述编程脉冲的脉冲长度。
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